Az epitaxia egy speciális kristálynövesztési folyamat, ahol egy kristályos réteg növekszik egy másik kristályos hordozó felületén úgy, hogy a növesztett réteg kristályszerkezete követi a hordozó kristályszerkezetét.
Főbb jellemzők:
- A növesztett réteg orientációja megegyezik a hordozó orientációjával
- Rendezett atomi szerkezet alakul ki
- Precíz vastagság-szabályozás lehetséges
- Tiszta és jól kontrollált körülmények szükségesek
Gyakori alkalmazási területek:
- Félvezetőipar
- Tranzisztorok gyártása
- LED-ek előállítása
- Napelem-technológia
- Mikroelektronika
- Integrált áramkörök
- Optoelektronikai eszközök
- Kvantum-szerkezetek
Epitaxiális módszerek példái:
- Folyadékfázisú epitaxia (LPE)
- Molekulasugár epitaxia (MBE)
- Kémiai gőzfázisú leválasztás (CVD)
- Fémorganikus gőzfázisú epitaxia (MOVPE)
Előnyök:
- Kiváló minőségű kristályszerkezet
- Pontos összetétel-szabályozás
- Többrétegű struktúrák létrehozása
- Nanométeres pontosság
Megjegyzés: Az epitaxia kulcsfontosságú szerepet játszik a modern elektronikai eszközök gyártásában és a nanotechnológiai kutatásokban.
Vissza az előző oldalra